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開發10奈米製程 聯電加入IBM聯盟

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開發10奈米製程 聯電加入IBM聯盟

自由時報 – 2013年6月14日 上午6:18

〔自由時報記者洪友芳/新竹報導〕晶圓代工大廠聯電(2303)昨宣布將加入IBM技術開發聯盟,共同開發10奈米CMOS製程技術。聯電預計明年底研發完成核心技術,進一步在南科廠開發製程技術。

隨著先進製程投入研發費用越趨昂貴,世界半導體廠紛選擇合作開發技術,IBM技術開發聯盟成員包括格羅方德、ST、三星等等,聯電繼去年與IBM簽署14奈米FinFET合作研發協議,再延伸到10奈米技術合作開發。

聯電執行長顏博文表示,聯電將指派工程團隊加入IBM位於美國紐約州阿爾巴尼的10奈米研發計畫,聯電14奈米FinFET與10奈米未來的製造,將於南科廠研發中心進行。

顏博文日前指出,聯電在28奈米以下的先進製程投入相當多研發資源,去年研發費用支出達93億元,並陸續完成28奈米相關製程的準備工作,合作客戶及產品數量顯著增加,下半年可望貢獻營收。

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